收藏本站
型号 SI4561DY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4561DY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4561DY-T1-GE3
产品目录绘图 DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 2,500
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 35.5 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 640pF @ 20V
功率 - 最大 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI4561DY-T1-GE3TR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI4562DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
SI4562DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4563DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
SI4565ADY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4565ADY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4565ADY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4565ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4567DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4567DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4567DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4567DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4569DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4569DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4569DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC